PT32M725
PT5619 应用于功率金属氧化半导体(Power MOSFET)与绝缘闸极双极性晶体管组件(IGBT),为高速三相闸极驱动,具有三个独立的高边及低边参考输出通道,内建死区时间(Dead time)和贯穿保护机制功能以防止损坏半桥。
PT32M725系列
普诚科技PT32M725 是一个系统单封装(SiP),集成包含 32位 MCU 处理器和三相马达闸极驱动 PT5619。PT32M725包含高效能的 ARM Cortex-M4 内核,其最高工作频率为120MHz,并有 64K-Bytes 的闪存及高达 16K-Bytes 的SRAM,内建单周期乘法和硬件除法,具有 DSP 指令集。
PT5619 应用于功率金属氧化半导体(Power MOSFET)与绝缘闸极双极性晶体管组件(IGBT),为高速三相闸极驱动,具有三个独立的高边及低边参考输出通道,内建死区时间(Dead time)和贯穿保护机制功能以防止损坏半桥。
主要特性
- 闪存 64K-Bytes
- SRAM 16K-Bytes
- 多达 10 个定时器
- 有 6 通道 PWM 输出,带死区控制和紧急停止功能
- 1 个 12 位 2 MSPS A/D 转换器,多达 12 个通道
- 1 个比较器,5 个外部输入通道/ 1 个内部参考电压
- 6 个通信接口 :
2 个 I2C 接口、2 个 USART 接口、2 个 SPI 接口
- 串行线调试(SWD) 接口
- 供电电压 2.4 V 至 3.6 V (VCC3IO / VDDA)
· PT5619
90V 半桥式高边驱动
驱动器多达三相半桥闸极
内建空档时间控制 0.5μs(典型)
贯穿保护机制
共同模式 dV/dt 消去噪声电路
容忍负瞬间电压
栅极驱动电压范围 5.5-18V 可调
· 封装
LQFP48 7 x 7 mm
产品详情
咨询热线:0755-27766178
地址:深圳市龙岗区坂田街道中兴路105号儒骏大厦905室
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