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PT5619门驱

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普诚科技PT5619系列门驱,是在同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极驱动器,特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护,非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害,芯片内部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。先进的高压BCD 制程和内置共模噪声消除技术使得高边驱动器在高 dv/dt 噪声环境能稳定工作,并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。为了延长电池的使用时间,可以通过对 ENB 引脚的控制使芯片能进入到低消耗电流的待机模式。

PT5619系列门驱芯片

 

简述

普诚科技PT5619系列门驱,是在同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极驱动器,特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护,非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害,芯片内部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。先进的高压BCD 制程和内置共模噪声消除技术使得高边驱动器在高 dv/dt 噪声环境能稳定工作,并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。为了延长电池的使用时间,可以通过对 ENB 引脚的控制使芯片能进入到低消耗电流的待机模式。

 

特征

内部集成 90V 三相半桥高边和低边驱动器

内置了死区时间

内置直通保护

高边和低边驱动器内置欠压锁定

兼容 3.3V, 5V,15V 三种逻辑电平

ENB 引脚控制进入到待机模式

驱动器汲出/汲入电流: 1200mA/2000mA

死区时间:0.5μs(typ.)

优秀 dv/dt 共模噪声消除电路

具有负瞬态电压忍受能力

低 di/dt 栅极驱动特性,更好的 EMI 性能

工作温度范围:-40℃ 至 125℃

小尺寸封装:TSSOP20L/24L, QFN24

 

 

应用
电动工具应用中三相马达驱动
其他电池供电产品中马达驱动
电调
其他三相逆变器
 

封装

TSSOP20L、TSSOP24L、QFN24

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

产品详情