普诚科技PT5619系列门驱，是在同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护，非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害，芯片内部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。先进的高压BCD 制程和内置共模噪声消除技术使得高边驱动器在高 dv/dt 噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。为了延长电池的使用时间，可以通过对 ENB 引脚的控制使芯片能进入到低消耗电流的待机模式。

普诚科技PT5619系列门驱，是在同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护，非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害，芯片内部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。先进的高压BCD 制程和内置共模噪声消除技术使得高边驱动器在高 dv/dt 噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。为了延长电池的使用时间，可以通过对 ENB 引脚的控制使芯片能进入到低消耗电流的待机模式。

普诚科技PT32M725 是一个系统单封装(SiP)，集成包含 32bits MCU 处理器和三相马达闸极驱动 PT5619。PT32M725包含高效能的 ARM Cortex-M4 内核，其最高工作频率为120MHz，并有 64K-Bytes 的闪存及高达 16K-Bytes 的SRAM，内建单周期乘法和硬件除法，具有 DSP 指令集。
PT5619 应用于功率金属氧化半导体(Power MOSFET)与绝缘闸极双极性晶体管组件(IGBT)，为高速三相闸极驱动，具有三个独立的高边及低边参考输出通道，内建死区时间(Dead time)和贯穿保护机制功能以防止损坏半桥。